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蝕刻機和光刻機有什么區(qū)別,原理有什么不一樣呢

發(fā)表時間:2020-06-18 15:12:04
刻蝕機和光刻機的區(qū)別:光刻機把圖案印上去,然后刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案(或者沒有圖案)的部分,留下剩余的部分。刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話,光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線,刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質(zhì)一樣,但精度要求是天壤之別。木匠做細活,一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機,要精確到納米?,F(xiàn)在的手機芯片,如海思麒麟970,高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢?打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲,按軸向平均剖成5000片,每片的厚度大約就是10納米。現(xiàn)在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司,最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結(jié)果。因為這方面的研究難度太大,單個國家完成不了。除了ASML,世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發(fā)。
蝕刻機


我相信,不久的將來,我們的科技人員一定能研制出好的的光刻機,不再被卡脖子。核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足于自己??萍嫉墓リP要摒棄幻想,靠我們自己。

我們刻蝕機技術已經(jīng)突破,5納米的刻蝕機我們也能自主生產(chǎn),現(xiàn)在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中,光刻機放樣,刻蝕機施工,清洗機清洗。然后反復循環(huán)幾十次,一般要500道左右的工序,芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度,刻蝕機就失去用武之地了。

刻蝕機是什么

實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展;廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。

刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法(InducTIvely CoupledPlasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對基片表面進行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,然后從真空管路被抽走。
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